PMPB13XNE,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.09 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 7.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB13XNE,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB13XNE,115 за ціною від 6.99 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V |
на замовлення 26446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 9002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB13XNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMPB13XNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMPB13XNE.115 SMD N channel transistors |
товар відсутній |