Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB27EP,115
PMPB27EP,115

PMPB27EP,115 Nexperia USA Inc.

PMPB27EP.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.41 грн
6000+ 8.69 грн
9000+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB27EP,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMPB27EP,115 за ціною від 7.41 грн до 37.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB27EP,115 PMPB27EP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB27EP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.66 грн
11+ 26.08 грн
100+ 15.63 грн
500+ 13.59 грн
1000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMPB27EP,115 PMPB27EP,115 Виробник : Nexperia PMPB27EP-2938892.pdf MOSFET PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 16846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.7 грн
11+ 29.02 грн
100+ 14.02 грн
1000+ 9.55 грн
3000+ 8.41 грн
9000+ 7.54 грн
24000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMPB27EP,115 Виробник : NEXPERIA PMPB27EP.pdf PMPB27EP.115 SMD P channel transistors
товар відсутній