PMPB55ENEAX Nexperia
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.87 грн |
| 9000+ | 8.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB55ENEAX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PMPB55ENEAX за ціною від 7.95 грн до 28.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB55ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 6381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB55ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 16A; 1.65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.65W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 106mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMPB55ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 16A; 1.65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.65W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 106mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |