Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB55XNEAX
PMPB55XNEAX

PMPB55XNEAX Nexperia USA Inc.

PMPB55XNEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.01 грн
6000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB55XNEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMPB55XNEAX за ціною від 10.12 грн до 38.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB55XNEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
12+ 24.48 грн
100+ 17 грн
500+ 12.45 грн
1000+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : Nexperia PMPB55XNEA-1799856.pdf MOSFET PMPB55XNEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.17 грн
10+ 31.94 грн
100+ 20.76 грн
500+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMPB55XNEAX Виробник : NEXPERIA PMPB55XNEA.pdf PMPB55XNEAX SMD N channel transistors
товар відсутній