Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV120ENEAR
PMV120ENEAR

PMV120ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV120ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.19 грн
6000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV120ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV120ENEAR за ціною від 5.74 грн до 28.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV120ENEAR PMV120ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV120ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
14+ 19.89 грн
100+ 11.95 грн
500+ 10.38 грн
1000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV120ENEAR PMV120ENEAR Виробник : Nexperia PMV120ENEA-1539758.pdf MOSFET PMV120ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 32876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
15+ 21.57 грн
100+ 10.28 грн
1000+ 7.34 грн
3000+ 6.41 грн
9000+ 6.01 грн
24000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV120ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV120ENEA.pdf PMV120ENEAR SMD N channel transistors
товар відсутній