PMV35EPER
Код товару: 187543
Виробник: Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8
очікується 400 шт:
400 шт - очікується
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PMV35EPER за ціною від 7.63 грн до 46.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 480mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -17A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -17A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV35EPE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 8809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
на замовлення 6411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |