PMV48XPA2R Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.4 грн |
| 6000+ | 5.91 грн |
| 9000+ | 5.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV48XPA2R Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V, Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV48XPA2R за ціною від 4.99 грн до 26.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV48XPA2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV48XPA2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV48XPA2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV48XPA2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV48XPA2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV48XPA2R | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 109313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PMV48XPA2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMV48XPA2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Pulsed drain current: -16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV48XPA2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Pulsed drain current: -16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |