PMV50XPR NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.02 грн |
28+ | 12.66 грн |
94+ | 8.55 грн |
258+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV50XPR NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PMV50XPR за ціною від 5.54 грн до 28.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
PMV50XPR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14.5A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V |
на замовлення 8260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia | MOSFET PMV50XP/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 108364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PMV50XPR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |