Продукція > NEXPERIA > PMV52ENEAR
PMV52ENEAR

PMV52ENEAR NEXPERIA

pmv52enea.pdf Виробник: NEXPERIA
30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV52ENEAR NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV52ENEAR за ціною від 5.27 грн до 26.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV52ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.69 грн
6000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV52ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
16+ 18.5 грн
100+ 11.11 грн
500+ 9.65 грн
1000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia PMV52ENEA-1596211.pdf MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
15+ 20.73 грн
100+ 10.08 грн
1000+ 6.81 грн
3000+ 5.94 грн
9000+ 5.41 грн
24000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : NEXPERIA pmv52enea.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMV52ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV52ENEA.pdf PMV52ENEAR SMD N channel transistors
товар відсутній