на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV65UNER NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 4.47 грн до 31.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 13735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 13735 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V |
на замовлення 6827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 49966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
PMV65UNER | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |