Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV74EPER
PMV74EPER

PMV74EPER Nexperia USA Inc.

PMV74EPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.75 грн
6000+ 6.23 грн
9000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV74EPER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMV74EPER за ціною від 6.62 грн до 39.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV74EPER PMV74EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV74EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
15+ 18.71 грн
100+ 11.2 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV74EPER PMV74EPER Виробник : Nexperia PMV74EPE-2938792.pdf MOSFET 30V P-CHANNEL
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.26 грн
11+ 28.64 грн
100+ 14.15 грн
500+ 9.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMV74EPER Виробник : NEXPERIA pmv74epe.pdf 30 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній