Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV88ENEAR
PMV88ENEAR

PMV88ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV88ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.4 грн
6000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV88ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV88ENEAR за ціною від 6.28 грн до 31.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV88ENEAR PMV88ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV88ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
16+ 17.73 грн
100+ 10.63 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMV88ENEAR PMV88ENEAR Виробник : Nexperia PMV88ENEA-1596086.pdf MOSFET PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.16 грн
13+ 24.11 грн
100+ 14.35 грн
500+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV88ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV88ENEA.pdf PMV88ENEAR SMD N channel transistors
товар відсутній