Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ

PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc.

PMXB43UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.91 грн
10000+ 5.89 грн
25000+ 5.82 грн
50000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMXB43UNEZ за ціною від 5.54 грн до 33.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB43UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 55948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
13+ 21.91 грн
100+ 11.02 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 7.13 грн
2000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : Nexperia PMXB43UNE-2939008.pdf MOSFET PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 15585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.65 грн
13+ 25.26 грн
100+ 13.69 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 7.21 грн
5000+ 6.48 грн
10000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB43UNEZ Виробник : NEXPERIA PMXB43UNE.pdf PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
товар відсутній