Продукція > NEXPERIA > PMXB65UPEZ
PMXB65UPEZ

PMXB65UPEZ NEXPERIA

4380288958894533pmxb65upe.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB65UPEZ NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V.

Інші пропозиції PMXB65UPEZ за ціною від 3.31 грн до 33.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB65UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.22 грн
10000+ 4.35 грн
25000+ 4.27 грн
50000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB65UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 70201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.26 грн
14+ 20.46 грн
100+ 10.33 грн
500+ 7.9 грн
1000+ 5.87 грн
2000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : Nexperia PMXB65UPE-2938873.pdf MOSFET PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 43954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
14+ 22.75 грн
100+ 7.92 грн
1000+ 5.13 грн
5000+ 4.66 грн
10000+ 4.13 грн
25000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65UPEZ Виробник : NEXPERIA PMXB65UPE.pdf PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній