PMZ1200UPEYL NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.82 грн |
| 1000+ | 3.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ1200UPEYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMZ1200UPEYL за ціною від 3.47 грн до 27.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ1200UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ1200UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ1200UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 6789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMZ1200UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| PMZ1200UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PMZ1200UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMZ1200UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMZ1200UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |