Продукція > NEXPERIA > PMZ950UPEYL
PMZ950UPEYL

PMZ950UPEYL Nexperia

4377317802170734pmz950upe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
957+12.24 грн
968+ 12.09 грн
1474+ 7.94 грн
2226+ 5.07 грн
3000+ 4.63 грн
6000+ 3.94 грн
15000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 957
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ950UPEYL Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZ950UPEYL за ціною від 3.3 грн до 30.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
936+12.51 грн
1426+ 8.21 грн
2153+ 5.44 грн
2184+ 5.17 грн
5000+ 3.95 грн
10000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 936
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26 грн
16+ 17.73 грн
100+ 8.98 грн
500+ 6.87 грн
1000+ 5.1 грн
2000+ 4.29 грн
5000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+27.96 грн
29+ 20.22 грн
100+ 10.96 грн
250+ 10.02 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.18 грн
3000+ 4.13 грн
6000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.29 грн
29+ 20.67 грн
100+ 11.62 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 4.51 грн
2000+ 4.27 грн
5000+ 3.52 грн
10000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia PMZ950UPE-2938898.pdf MOSFET Trench Mosfet 20V, P-channel
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.38 грн
14+ 22.34 грн
100+ 12.08 грн
500+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
PMZ950UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товар відсутній
PMZ950UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній