Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL

PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZB150UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB150UNEYL за ціною від 4.67 грн до 30.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB150UNEYL PMZB150UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB150UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 30215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
15+ 19.19 грн
100+ 9.68 грн
500+ 8.06 грн
1000+ 6.27 грн
2000+ 5.61 грн
5000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB150UNEYL PMZB150UNEYL Виробник : Nexperia PMZB150UNE-2938874.pdf MOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
14+ 22.65 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 5.81 грн
2500+ 5.54 грн
10000+ 4.94 грн
20000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZB150UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZB150UNE.pdf PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товар відсутній