Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB350UPE,315
PMZB350UPE,315

PMZB350UPE,315 Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB350UPE,315 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB350UPE,315 за ціною від 3.43 грн до 31.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB350UPE,315 PMZB350UPE,315 Виробник : Nexperia PMZB350UPE-2938842.pdf MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 13521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.81 грн
18+ 17.09 грн
100+ 6.01 грн
1000+ 4.69 грн
2500+ 4.29 грн
10000+ 3.83 грн
20000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZB350UPE,315 PMZB350UPE,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.44 грн
14+ 20.98 грн
100+ 10.6 грн
500+ 8.11 грн
1000+ 6.02 грн
2000+ 5.06 грн
5000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB350UPE,315 Виробник : NEXPERIA PMZB350UPE.pdf PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товар відсутній