Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB670UPE,315
PMZB670UPE,315

PMZB670UPE,315 Nexperia USA Inc.

PMZB670UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB670UPE,315 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB670UPE,315 за ціною від 4.33 грн до 34.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB670UPE,315 PMZB670UPE,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB670UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 27710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.53 грн
14+ 19.98 грн
100+ 10.1 грн
500+ 7.73 грн
1000+ 5.74 грн
2000+ 4.83 грн
5000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB670UPE,315 PMZB670UPE,315 Виробник : Nexperia PMZB670UPE-2938757.pdf MOSFET PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.34 грн
13+ 25.12 грн
100+ 12.39 грн
500+ 8.19 грн
1000+ 5.53 грн
5000+ 4.93 грн
10000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB670UPE,315 Виробник : NEXPERIA PMZB670UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1934000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7082+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 7082
PMZB670UPE,315 Виробник : NEXPERIA PMZB670UPE.pdf PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товар відсутній