Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL

PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc.

PMZB950UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.26 грн
14+ 19.98 грн
100+ 10.1 грн
500+ 7.74 грн
1000+ 5.74 грн
2000+ 4.83 грн
5000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB950UPEYL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Виробник : Nexperia PMZB950UPE-1320612.pdf MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Виробник : NEXPERIA 4380407028747907pmzb950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
PMZB950UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZB950UPE.pdf PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товар відсутній
PMZB950UPEYL PMZB950UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товар відсутній