Продукція > PN2 > PN200(D26Z)

PN200(D26Z)


Виробник:

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PN200(D26Z)

Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції PN200(D26Z)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PN200/D26Z
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PN200_D26Z PN200_D26Z Виробник : onsemi PN200(A), MMBT200(A).pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
PN200_D26Z Виробник : Shindengen PN200(A), MMBT200(A).pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
PN200_D26Z PN200_D26Z Виробник : onsemi / Fairchild pn200.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній