PRMD13Z

PRMD13Z Nexperia USA Inc.


PRMD13.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.05 грн
19+ 15.19 грн
100+ 7.42 грн
500+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PRMD13Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 480mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: DFN1412-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PRMD13Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PRMD13Z PRMD13Z Виробник : Nexperia USA Inc. PRMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PRMD13Z PRMD13Z Виробник : Nexperia PRMD13-1379989.pdf Bipolar Transistors - BJT PRMD13/SOT1268/DFN1412-6
товар відсутній