Продукція > NEXPERIA USA INC. > PRMD16Z
PRMD16Z

PRMD16Z Nexperia USA Inc.

PRMD16.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1412-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.33 грн
19+ 14.64 грн
100+ 7.16 грн
500+ 5.6 грн
1000+ 3.89 грн
2000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PRMD16Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 480mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: DFN1412-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PRMD16Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PRMD16Z PRMD16Z Виробник : Nexperia USA Inc. PRMD16.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PRMD16Z PRMD16Z Виробник : Nexperia PRMD16-2938738.pdf Bipolar Transistors - BJT PRMD16/SOT1268/DFN1412-6
товар відсутній