Технічний опис PSMN011-100YSFX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 26.2A, Pulsed drain current: 318A, Power dissipation: 152W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 25.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PSMN011-100YSFX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|
| PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 26.2A Pulsed drain current: 318A Power dissipation: 152W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 |
товар відсутній |
|
|
|
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 |
товар відсутній |
|
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP |
товар відсутній |
|
| PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 26.2A Pulsed drain current: 318A Power dissipation: 152W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |