PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 36.82 грн |
| 3000+ | 33.38 грн |
| 7500+ | 31.79 грн |
| 10500+ | 28.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN011-80YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 117W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN011-80YS,115 за ціною від 32.38 грн до 95.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN011-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V |
на замовлення 12101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN011-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 14754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN011-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN011-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN011-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 47A Pulsed drain current: 266A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN011-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 266A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 47A Pulsed drain current: 266A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |