на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 39.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-100YS,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN012-100YS,115 за ціною від 36.25 грн до 115.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V |
на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMN012-100YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |