PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 60.82 грн |
| 1600+ | 49.7 грн |
| 2400+ | 47.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 148W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN012-80BS,118 за ціною від 44.15 грн до 129.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN012-80BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V |
на замовлення 5020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 148W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN012-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN012-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN012-80BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |