PSMN013-40VLDX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 67.59 грн |
| 500+ | 40.89 грн |
| 1500+ | 37.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN013-40VLDX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN013-40VLDX за ціною від 33.08 грн до 96.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN013-40VLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN013-40VLD/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN013-40VLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN013-40VLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN013-40VLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 169A Power dissipation: 46W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN013-40VLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN013-40VLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN013-40VLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN013-40VLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 169A Power dissipation: 46W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |