Продукція > NEXPERIA > PSMN015-100B,118
PSMN015-100B,118

PSMN015-100B,118 NEXPERIA

NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.91 грн
800+ 53.14 грн
1600+ 48.55 грн
3200+ 48.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-100B,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN015-100B,118 за ціною від 48.1 грн до 143.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.03 грн
1600+ 64.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.06 грн
10+ 97.66 грн
25+ 96.25 грн
100+ 80.88 грн
250+ 69.77 грн
500+ 62.06 грн
1000+ 57.15 грн
3000+ 52.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+118.52 грн
111+ 105.17 грн
113+ 103.65 грн
129+ 87.1 грн
250+ 75.14 грн
500+ 66.84 грн
1000+ 61.54 грн
3000+ 56.25 грн
Мінімальне замовлення: 98
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.38 грн
10+ 106.29 грн
100+ 70.91 грн
800+ 53.14 грн
1600+ 48.55 грн
3200+ 48.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.03 грн
10+ 107.32 грн
100+ 85.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia PSMN015_100B-1526073.pdf MOSFET PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.01 грн
10+ 118.1 грн
100+ 82.82 грн
250+ 69.57 грн
500+ 68.91 грн
800+ 56.05 грн
2400+ 54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній