Продукція > NEXPERIA > PSMN017-30EL,127
PSMN017-30EL,127

PSMN017-30EL,127 Nexperia


PSMN017-30EL-1600485.pdf Виробник: Nexperia
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN017-30EL,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN017-30EL,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN017-30EL,127 PSMN017-30EL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN017-30EL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товар відсутній