PSMN027-100BS,118

PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc.


PSMN027-100BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.01 грн
1600+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 37A, Pulsed drain current: 148A, Power dissipation: 103W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 59mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PSMN027-100BS,118 за ціною від 64.53 грн до 112.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN027-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.01 грн
10+ 88.24 грн
100+ 68.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS,118 Виробник : Nexperia PSMN027-100BS-1600488.pdf MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.65 грн
10+ 99.56 грн
100+ 67.93 грн
500+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN027-100BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN027-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN027-100BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN027-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній