Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN038-100HSX
PSMN038-100HSX

PSMN038-100HSX Nexperia USA Inc.

PSMN038-100HS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN038-100HSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN038-100HSX за ціною від 32.38 грн до 103.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Виробник : NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.32 грн
500+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Виробник : Nexperia PSMN038_100HS-3051868.pdf MOSFET PSMN038-100HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.91 грн
10+ 74.24 грн
100+ 50.27 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 34.72 грн
1500+ 32.58 грн
3000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Виробник : NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.61 грн
10+ 76.39 грн
100+ 56.32 грн
500+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN038-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.99 грн
10+ 81.71 грн
100+ 63.53 грн
500+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Виробник : NEXPERIA psmn038-100hs.pdf 100V N-Channel MOSFET
товар відсутній