PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 41.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN0R7-25YLDX за ціною від 76.78 грн до 187.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN0R7-25YLD/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 7991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 8763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 235A Power dissipation: 158W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 235A Power dissipation: 158W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |