Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN0R9-25YLC,115
PSMN0R9-25YLC,115

PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN0R9-25YLC.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+60.58 грн
3000+ 55.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN0R9-25YLC,115 за ціною від 48.61 грн до 154.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.pdf Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.67 грн
500+ 67.08 грн
1000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+97.09 грн
24000+ 88.72 грн
48000+ 82.55 грн
72000+ 75.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN0R9_25YLC-2938767.pdf MOSFET PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 82863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.21 грн
10+ 97.26 грн
100+ 69.26 грн
250+ 66.59 грн
500+ 59.53 грн
1000+ 53.41 грн
1500+ 48.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+118.03 грн
5+ 98.5 грн
11+ 74.48 грн
30+ 70.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.5 грн
10+ 102.11 грн
100+ 81.26 грн
500+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.64 грн
5+ 122.75 грн
11+ 89.38 грн
30+ 84.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.3 грн
10+ 129.33 грн
25+ 128.04 грн
100+ 100.96 грн
250+ 92.55 грн
500+ 73.92 грн
1000+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.pdf Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+146.42 грн
10+ 109.82 грн
100+ 83.67 грн
500+ 67.08 грн
1000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+154.32 грн
84+ 139.28 грн
85+ 137.89 грн
104+ 108.73 грн
250+ 99.67 грн
500+ 79.61 грн
1000+ 62.23 грн
Мінімальне замовлення: 76
PSMN0R9-25YLC,115
Код товару: 124400 		PSMN0R9-25YLC.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : NEXPERIA 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Виробник : Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній