PSMN0R9-25YLDX

PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc.


PSMN0R9-25YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+72.45 грн
3000+ 66.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN0R9-25YLDX за ціною від 47.28 грн до 152.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia PSMN0R9_25YLD-2938948.pdf MOSFET PSMN0R9-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 8219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
10+ 75.51 грн
100+ 61.8 грн
250+ 60.6 грн
500+ 56.34 грн
1000+ 55.61 грн
1500+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+88.53 грн
10+ 78.75 грн
25+ 77.96 грн
100+ 69.1 грн
250+ 63.33 грн
500+ 55.1 грн
1000+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+95.34 грн
138+ 84.81 грн
140+ 83.96 грн
152+ 74.41 грн
250+ 68.2 грн
500+ 59.34 грн
1000+ 54.53 грн
Мінімальне замовлення: 123
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.92 грн
10+ 89.31 грн
100+ 78.8 грн
500+ 67.37 грн
1000+ 61.76 грн
1500+ 56.38 грн
3000+ 53.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
104+112.99 грн
122+ 96.18 грн
138+ 84.86 грн
500+ 72.56 грн
1000+ 66.51 грн
1500+ 60.71 грн
3000+ 57.56 грн
Мінімальне замовлення: 104
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.72 грн
10+ 122.09 грн
100+ 97.18 грн
500+ 77.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : NEXPERIA 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Виробник : Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN0R9-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN0R9-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN0R9-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1614A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.04mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній