Продукція > NEXPERIA > PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115 NEXPERIA

4376153455431737psmn102-200y.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN102-200Y,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.086ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN102-200Y,115 за ціною від 27.46 грн до 114.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+35.54 грн
3000+ 32.21 грн
7500+ 30.68 грн
10500+ 27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+36.43 грн
3000+ 33.62 грн
7500+ 33.28 грн
9000+ 31.36 грн
10500+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+39.25 грн
3000+ 36.22 грн
7500+ 35.86 грн
9000+ 33.78 грн
10500+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+45.62 грн
3000+ 41.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+57.45 грн
205+ 57.06 грн
240+ 48.7 грн
250+ 46.62 грн
500+ 38.69 грн
1000+ 31.19 грн
Мінімальне замовлення: 203
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.19 грн
11+ 53.35 грн
25+ 52.98 грн
100+ 43.6 грн
250+ 40.08 грн
500+ 34.49 грн
1000+ 28.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+61.03 грн
3000+ 55.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
на замовлення 76153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.2 грн
10+ 63.73 грн
100+ 49.56 грн
500+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia PSMN102_200Y-2938743.pdf MOSFET PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.15 грн
10+ 66.61 грн
100+ 45.97 грн
500+ 39.39 грн
1000+ 38 грн
1500+ 32.22 грн
3000+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+114.01 грн
10+ 95.38 грн
100+ 70.49 грн
500+ 45.46 грн
1500+ 35.58 грн
3000+ 34.36 грн
6000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Виробник : Nexperia 4376153455431737psmn102-200y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN102-200Y,115 Виробник : NEXPERIA PSMN102-200Y.pdf PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
товар відсутній