Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R0-40YSHX
PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-40YSH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+116.08 грн
3000+ 105.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 333W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R0-40YSHX за ціною від 115.58 грн до 234.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9433 pF @ 20 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.91 грн
10+ 181.56 грн
100+ 146.86 грн
500+ 122.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-40YSHX Виробник : Nexperia PSMN1R0_40YSH-1588513.pdf MOSFET PSMN1R0-40YSH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.04 грн
10+ 194.03 грн
25+ 166.06 грн
100+ 136.84 грн
250+ 134.84 грн
500+ 121.56 грн
1000+ 115.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R0-40YSHX Виробник : NEXPERIA psmn1r0-40ysh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN1R0-40YSHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-40YSH.pdf PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
товар відсутній