Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R2-25YLDX
PSMN1R2-25YLDX

PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+49.15 грн
3000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN1R2-25YLDX за ціною від 31.77 грн до 122.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00103 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.43 грн
500+ 55.7 грн
1000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R2_25YLD-2938769.pdf MOSFET PSMN1R2-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 22704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.35 грн
10+ 69.92 грн
100+ 51.61 грн
500+ 40.76 грн
1000+ 35.96 грн
1500+ 34.83 грн
3000+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.73 грн
10+ 82.83 грн
100+ 65.93 грн
500+ 52.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00103 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.52 грн
10+ 92.63 грн
100+ 68.43 грн
500+ 55.7 грн
1000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX Виробник : NEXPERIA psmn1r2-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN1R2-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
товар відсутній