на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 24.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-25YLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN2R0-25YLDX за ціною від 20.84 грн до 73.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-25YLD/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V |
на замовлення 4326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN2R0-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 127A Pulsed drain current: 722A Power dissipation: 115W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN2R0-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 127A Pulsed drain current: 722A Power dissipation: 115W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |