PSMN2R0-30YLDX

PSMN2R0-30YLDX Nexperia USA Inc.


PSMN2R0-30YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 7453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+41.75 грн
3000+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN2R0-30YLDX за ціною від 29.63 грн до 95.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN2R0_30YLD-2938746.pdf MOSFET PSMN2R0-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.35 грн
10+ 66.17 грн
100+ 44.82 грн
500+ 37.96 грн
1000+ 33.03 грн
1500+ 29.9 грн
3000+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.09 грн
10+ 74.85 грн
100+ 58.23 грн
500+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA psmn2r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn2r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLDX Виробник : Nexperia psmn2r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN2R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN2R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній