Продукція > NEXPERIA > PSMN2R0-40YLBX
PSMN2R0-40YLBX

PSMN2R0-40YLBX Nexperia


PSMN2R0_40YLB-3394384.pdf Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 159-168 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
10+ 89.83 грн
100+ 61.09 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 42.13 грн
2500+ 39.66 грн
5000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-40YLBX Nexperia

Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 166W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN2R0-40YLBX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX Виробник : Nexperia psmn2r0-40ylb.pdf N-channel MOSFET
товар відсутній
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX Виробник : Nexperia psmn2r0-40ylb.pdf N-channel MOSFET
товар відсутній
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-40YLB.pdf Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
товар відсутній
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-40YLB.pdf Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
товар відсутній