PSMN2R0-60ES,127 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 214+ | 93.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-60ES,127 NXP Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V.
Інші пропозиції PSMN2R0-60ES,127 за ціною від 93.36 грн до 235.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-60ES,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
PSMN2R0-60ES,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms |
на замовлення 4194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| PSMN2R0-60ES,127 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| PSMN2R0-60ES,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
PSMN2R0-60ES,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
товар відсутній |