на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.81 грн |
| 10+ | 82.92 грн |
| 100+ | 56.41 грн |
| 500+ | 47.8 грн |
| 1000+ | 45.06 грн |
| 1500+ | 38.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R1-30YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.00187 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00187, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN2R1-30YLEX за ціною від 63.04 грн до 123.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R1-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.00187 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 124 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00187 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R1-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3749 pF @ 15 V |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN2R1-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.00187 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 124 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00187 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
PSMN2R1-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3749 pF @ 15 V |
товар відсутній |