Продукція > NEXPERIA > PSMN2R6-40YS,115
PSMN2R6-40YS,115

PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA

4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 131W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN2R6-40YS,115 за ціною від 44.73 грн до 163.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+56 грн
3000+ 51.23 грн
7500+ 49.3 грн
10500+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia PSMN2R6_40YS-2939125.pdf MOSFET PSMN2R6-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 28102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.13 грн
10+ 60.58 грн
100+ 52.41 грн
500+ 52.34 грн
1500+ 46.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+87.37 грн
156+ 75.29 грн
184+ 63.61 грн
196+ 57.53 грн
250+ 52.73 грн
500+ 50.12 грн
1000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 134
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+91.58 грн
10+ 77.79 грн
25+ 61.42 грн
100+ 54.96 грн
250+ 50.38 грн
500+ 47.88 грн
1000+ 46.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.87 грн
10+ 77.69 грн
25+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+104.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 113874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.42 грн
10+ 94.34 грн
100+ 75.11 грн
500+ 59.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.15 грн
5+ 140.04 грн
9+ 112.38 грн
24+ 105.72 грн
500+ 102.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній