Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R6-60PSQ
PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ Nexperia USA Inc.

PSMN2R6-60PS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.67 грн
10+ 173.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-60PSQ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN2R6-60PSQ за ціною від 98.56 грн до 299.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ Виробник : Nexperia PSMN2R6_60PS-2938830.pdf MOSFET PSMN2R6-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.63 грн
10+ 194.52 грн
50+ 130.52 грн
100+ 101.89 грн
500+ 101.22 грн
1000+ 99.22 грн
2500+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 326W
Pulsed drain current: 961A
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.51 грн
3+ 208.8 грн
6+ 151.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 326W
Pulsed drain current: 961A
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+299.41 грн
3+ 260.2 грн
6+ 182.3 грн
15+ 172.31 грн
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ Виробник : NEXPERIA 3012955443312848psmn2r6-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній