PSMN2R9-30MLC,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: 30 V, 2.95 MILLI OHM LOGIC LEVEL
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 960+ | 20.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R9-30MLC,115 NXP USA Inc.
Description: 30 V, 2.95 MILLI OHM LOGIC LEVEL, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN2R9-30MLC,115 за ціною від 20.3 грн до 65.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R9-30MLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R9-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R9-30MLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |