на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 247+ | 47.37 грн |
| 249+ | 47.06 грн |
| 250+ | 46.75 грн |
| 301+ | 37.4 грн |
| 304+ | 34.37 грн |
| 500+ | 27.55 грн |
| 1000+ | 24.36 грн |
| 3000+ | 21.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R5-25MLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN3R5-25MLDX за ціною від 15.78 грн до 59.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN3R5-25MLD/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18.9nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 405A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A On-state resistance: 9.2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
|
|
PSMN3R5-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| PSMN3R5-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 405A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18.9nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 405A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A On-state resistance: 9.2mΩ |
товар відсутній |