на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 136.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R8-100BS,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN3R8-100BS,118 за ціною від 98.14 грн до 262.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK |
на замовлення 14085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V |
на замовлення 16596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00328 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN3R8-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |