PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 26.06 грн |
| 3000+ | 22.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN4R2-30MLDX за ціною від 18.63 грн до 61.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN4R2-30MLD/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 25664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V |
на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Anzahl der Pins: 5Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PSMN4R2-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 366A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A On-state resistance: 4.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN4R2-30MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN4R2-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 366A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A On-state resistance: 4.5mΩ |
товар відсутній |