на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 253.92 грн |
| 10+ | 216.51 грн |
| 50+ | 187.6 грн |
| 100+ | 157.56 грн |
| 250+ | 155.55 грн |
| 500+ | 140.87 грн |
| 1000+ | 123.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R3-100PS,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN4R3-100PS,127 за ціною від 127.2 грн до 361.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 673A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMN4R3-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 673A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |